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NCE2312A	文件：282.36 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2312X	文件：323.88 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE2312Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa uni-directionalorbi-directionalloadswitch. GeneralFeatures ●VDS=20V,ID=6A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NTE2312	文件：23.68 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNTransistorHighVoltage,HighSpeedSwitch Description: TheNTE2312isasiliconNPNtransistorinaTO220typepackagedesignedforhigh–voltage,high–speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Thisdeviceisparticularlysuitedfor115Vand220Vswitch–modeapplicationssuchasswitchingregulators,inverter	NTE NTE Electronics	NTE
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