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NDS331N中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NDS331N
廠商型號

NDS331N

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標識

A2SHB

封裝外殼

SOT-23

文件大小

1.45725 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-21 15:24:00

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NDS331N規(guī)格書詳情

General Features

VDS = 20V ID =2.3 A

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NDS331N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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