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NDSH20120C-F155

Marking：DSH20120C；Package：TO-247-2LD；Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NDSH20120C-F155供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 8:30:00

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