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NDT451N

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NPX-SPI-451T

8-bitcalibratedoutput

AMPHENOLAmphenol Corporation

安費諾集團美國安費諾集團

NTE451

SiliconN-ChannelJFETTransistorVHF/UHFAmplifier

NTE

NTE Electronics

P451WG

NECP451WGProfessionalProjector

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

P451XG

NECP451XGProfessionalProjector

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

PESD451DPLR

ESD4511-Channel±30kVBidirectionalESDDiodeinan0201Package

1Features ?IEC61000-4-2level4ESDprotection –±30kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge ?IEC61000-4-5surgeprotection –4.4A(8/20μs) ?IOcapacitance: –0.5pF(typical) ?DCbreakdownvoltage:±8V(typical) ?Ultralowleakagecurrent:50nA(maximum) ?Extremely

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PG451

WidebandGainBlock

SJM

SJM Prewell. All Rights Reserved.

PSD451F

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODES

PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL

霈峰霈峰實業(yè)有限公司

PTH451

PTCTHERMISTORFORDEGAUSSING

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

PTH451A

PTCTHERMISTORFORDEGAUSSING

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

PTH451C

PTCTHERMISTORFORDEGAUSSING

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

QA451

HighVoltageAmplifier

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

RB451F

Shottkybarrierdiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RB451F

Schottkybarrierdiode

Features Highreliability Smallmoldtype LowVF Application Smallcurrentrectification

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RB451F

Schottkybarrierdiode

Features ●Smallsurfacemountingtype.(UMD3) ●LowVF.(VF=0.45VTyp.at100mA) ●Highreliability.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

RB451F

SchottkyBarrierDiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RB451F

SchottkyBarrierDiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RB451F_

Shottkybarrierdiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RB451UM

SchottkyBarrierDiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

RB451UMFH

SchottkyBarrierDiode

?Application Smallcurrentrectification ?Features 1)Ultrasmallmoldtype (UMD3F) 2)Highreliability 3)SuperlowVF

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NDT451AN_Q

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FS
6000
面議
19
DIP/SMD
 詢價
Fairchild
23+
SOT-223
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
FS
22+
NA
30000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
NATIONAL
23+
SOT-223
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
FAIRCHILD/仙童
1535+
464
詢價
NATIONAL
2022
SOT-223
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
464
全新原裝，歡迎來電咨詢
 詢價
FSC
21+
SOT223
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
FAIRCHILD
SOT223
699839
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
FAIRCHIL
2023+環(huán)保現(xiàn)貨
SOT-223
18000
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)
 詢價
更多NDT451AN_Q供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 11:32:00

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