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NE25118-T1

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE25118-T1

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

CEL

California Eastern Labs

詳細參數

  • 型號:

    NE25118-T1

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY CEL 10/00 SOT-343 DL GT MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
23+
SOT343
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
詢價
NEC
21+
SOT343
10000
原裝現貨假一罰十
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NEC
24+
SOT343
2600
原裝現貨假一賠十
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NEC
2022
SOT343
80000
原裝現貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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NEC
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明嘉萊只做原裝正品現貨
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SOT-343
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24+
SOT343
5000
全現原裝公司現貨
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更多NE25118-T1供應商 更新時間2025-2-5 11:00:00