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NE32500中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NE32500
廠商型號(hào)

NE32500

功能描述

C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP

文件大小

39.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 17:19:00

NE32500規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NE32500 and NE27200 are Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for commercial systems, industrial and space applications.

FEATURES

? Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz

? Gate Length: Lg = 0.2 μm

? Gate Width : Wg = 200 μm

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE32500

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全稱:

    CEL

  • 功能描述:

    C TO KA BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET CHIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
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