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NE3512S02-T1C-A_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-CEL

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原廠料號：NE3512S02-T1C-A品牌：CEL

資料說明：HJ-FET NCH 13.5DB S02

NE3512S02-T1C-A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商CEL/California Eastern Labs生產(chǎn)封裝4-SMD，扁平引線的NE3512S02-T1C-A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    ne3512s02-t1c-a

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 資料說明：

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NE3512S02-T1C-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.35dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
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9800
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