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NE5511279A-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE5511279A-T1
廠商型號(hào)

NE5511279A-T1

參數(shù)屬性

NE5511279A-T1 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG

功能描述

NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

99.77 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-8 14:04:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE5511279A-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    900MHz

  • 增益:

    15dB

  • 額定電流(安培):

    3A

  • 功率 - 輸出:

    40dBm

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    79A

  • 描述:

    FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
PHI
0
SOIC/3.9mm
3
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢
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