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NE5550279A-T1A

Silicon Power LDMOS FET

FEATURES ?HighOutputPower:Pout=33.0dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin=15dBm) ?Highpoweraddedefficiency:ηadd=68TYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin=15dBm) ?HighLineargain:GL=22.5dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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Silicon Power LDMOS FET

CEL

California Eastern Labs

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Silicon Power LDMOS FET

CEL

California Eastern Labs

NE5550279A-T1

SiliconPowerLDMOSFET

CEL

California Eastern Labs

NE5550279A-T1

SiliconPowerLDMOSFET

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RENESAS(瑞薩)/IDT
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Renesas
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專注Renesas品牌原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
 詢價(jià)
更多NE5550279A-T1A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 11:06:00

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