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NE850R599中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE850R599
廠商型號

NE850R599

功能描述

GaAs MES FET

文件大小

177.35 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-25 17:45:00

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NE850R599規(guī)格書詳情

The NE850R599 power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on.

The device incorporates Ti-AI gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

? Class A operation

? High power output

? High reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE850R599

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 0.5W C-Band MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

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