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NE85639-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE85639-T1 |
| 參數(shù)屬性 | NE85639-T1 封裝/外殼為TO-253-4，TO-253AA；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143 |
| 功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-253-4，TO-253AA |
| 文件大小 |
831.88 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
26 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-2 20:00:00 |
NE85639-T1規(guī)格書詳情
NE85639-T1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE85639-T1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NE85639-T1-R28-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
- 頻率 - 躍遷：
9GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-253-4，TO-253AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-143
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
22+ |
SOT-89 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
ZXV |
20+ |
SOT-523 |
90000 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-89 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
SOT89 |
3000 |
原裝正品,支持實單 |
詢價 | ||
PHILIPS |
23+ |
SOP8 |
12300 |
詢價 | |||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
SOT-89 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
California Eastern Labs |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
CEL |
24+ |
原廠原裝 |
4000 |
原裝正品 |
詢價 |
