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NESG2101M16中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NESG2101M16 |
| 功能描述 | NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR |
| 文件大小 |
83.74 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
| 企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-14 13:00:00 |
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NESG2101M16規(guī)格書詳情
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
FEATURES
? The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification
PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, IC (set) = 10 mA (RF OFF), f = 2 GHz
NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz
? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NESG2101M16
- 功能描述：
射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2101M16-A
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
SOT-523 |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
SOT-523 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
NEC |
2020+ |
1208 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SOT-343 |
27000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
1208 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | ||
CEL |
20+ |
SOT-523 |
36800 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
6-PIN |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
20+ |
6-PIN |
57600 |
現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝 |
詢價(jià) | ||
CEL |
SOT-523 |
15000 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) |
