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NGD18N45CLB

Ignition IGBT 18 Amps, 450 Volts N?Channel DPAK

ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)features monolithiccircuitryintegratingESDandOver?Voltageclamped protectionforuseininductivecoildriversapplications.Primaryuses includeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageand highcurrentswitching

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGD18N45CLB

DPAK Package Offers Smaller Footprint for Increased Board Space

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

NGD18N45CLBT4G

Ignition IGBT 18 Amps, 450 Volts N?Channel DPAK

ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)features monolithiccircuitryintegratingESDandOver?Voltageclamped protectionforuseininductivecoildriversapplications.Primaryuses includeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageand highcurrentswitching

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGD18N45CLBT4G

點火IGBT電源半導(dǎo)體

這款邏輯電平絕緣柵雙極晶體管（IGBT）配有集成ESD與過壓箝位保護裝置的單片電路，可用于感應(yīng)線圈驅(qū)動器應(yīng)用。 主要用途包括點火、直接燃油噴射或需要高壓與高電流切換的應(yīng)用。\n; ·DPAK封裝占用空間小并可增加電路板空間\n·溫度補償型柵極集電極電壓鉗位限制應(yīng)用于載荷的應(yīng)力\n·集成柵極發(fā)射極ESD保護\n·低閾值電壓將電源載荷接入邏輯級微處理器設(shè)備中\(zhòng)n·低飽和電壓\n·高脈沖電流能力\n·針對短路保護的發(fā)射極鎮(zhèn)流\n·該設(shè)備不含鉛\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

NGD18N45CLBT4G

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 500V 18A DPAK

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

技術(shù)參數(shù)

  • Collector Current-Continuous ICmax (A)：

    18

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：

    2.07

  • EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy：

    360

  • Max Power Dissipation (W)：

    115

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
 詢價
更多NGD18N45CLB供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 17:23:00

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