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NGTB10N60R2DT4G

IGBT 600V, 10A, N-Channel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB10N60R2DT4G

包裝:管件 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 20A DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NGTB10N60R2DT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    412μJ(開),140μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    48ns/120ns

  • 測試條件:

    300V,10A,30 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 20A DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NGTB10N60R2DT4G供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 16:36:00