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NGTB15N120IHRWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB15N120IHWG	文件：127.64 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB15N120LWG	文件：176.11 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco??ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
RLPGB15N120CT	文件：683.19 Kbytes Page：6 Pages	IGBT Features 1200V,15A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=15A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SGB15N120	文件：841.74 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGB15N120	文件：460.59 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS ?NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeha	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGH15N120RUF	文件：495.41 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswher	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGH15N120RUFD	文件：556.76 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinvertersw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGP15N120	文件：407.98 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SKW15N120	文件：348.52 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKW15N120	文件：415.35 Kbytes Page：13 Pages	FASTIGBTINNPT-TECHNOLOGYWITHSOFT,FASTRECOVERYANTI-PARALLELEmConDIODE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
TSG15N120	文件：450.28 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSG15N120CN	文件：450.28 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
NGTB15N120IHRWG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，15A
開關(guān)能量：
340μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
-/170ns
測試條件：
600V，15A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NGTB15N120IHRWG	onsemi(安森美)	23+	TO-247	928	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價
深圳市納立科技有限公司	NGTB15N120IHRWG		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	NGTB15N120IHRWG	ON(安森美)	2112+	TO-247-3	105000	30個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期	詢價
深圳市科雨電子有限公司	NGTB15N120IHRWG	ON	1809+	TO-247	1675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價
深圳市達(dá)恩科技有限公司	NGTB15N120IHRWG	ON	21+	NA	3000	進(jìn)口原裝假一罰十現(xiàn)貨	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NGTB15N120IHRWG	ON/安森美	21+	TO-3P	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NGTB15N120IHRWG	ON Semiconductor	22+	TO247	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市盈盛科創(chuàng)科技有限公司	NGTB15N120IHRWG	ON	21+	NA	3000	進(jìn)口原裝假一罰十現(xiàn)貨	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	NGTB15N120IHRWG	ON Semiconductor	23+	TO247	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價
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更多NGTB15N120IHRWG供應(yīng)商更新時間2025-1-7 23:00:00

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