首頁(yè)>NGTB25N120SWG>芯片詳情

NGTB25N120SWG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NGTB25N120SWG參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NGTB25N120SWG

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7200

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2023

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-14 14:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NGTB25N120SWG品牌：ON/安森美

公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單

NGTB25N120SWG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247-3的NGTB25N120SWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    NGTB25N120SWG

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    5 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    90.5 kb

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT - Inverter Welding

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB25N120SWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，25A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.95mJ（開(kāi)），600μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    87ns/179ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，25A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 25A 1200V TO-247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市柏芯特電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳總

  • 手機(jī)：

    13751041283

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    13751041283

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路18號(hào)新亞洲國(guó)利大廈733

相近型號(hào)