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NJD35N04T4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

NJD35N04T4G
廠商型號(hào)

NJD35N04T4G

參數(shù)屬性

NJD35N04T4G 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

DPAK

封裝外殼

TO-252 / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

303.52 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-29 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NJD35N04T4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 20mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    90MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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