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NP100P06PDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?50A) ?Highcurrentrating:ID(

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NP100P06PDG-E2-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NP100P06PDG-E2-AY

  • 制造商：

    NEC

  • 制造商全稱：

    NEC

  • 功能描述：

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP100P06PDG-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 14:57:00

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