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NP109N055PUK-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP109N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.2m?MAX.(VGS=10V,ID=55A) ?LowCiss:Ciss=7500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationan

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瑞薩瑞薩科技有限公司

NP109N055PUK-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP109N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ●Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) ●LowCiss:Ciss=7500pFTYP.(VDS=25V) ●Designedforautomotiveapplication

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更多NP109N055PUK-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-28 14:50:00

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