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NP22N055SHE

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffect Transistorsdesignedforhighcurrentswitching applications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=39mΩMAX.(VGS=10V,ID=11A) ?LowC

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP22N055SHE

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=39mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP22N055SHE

Product Scout Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

22N055

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NP22N055HHE

N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PowerSupply -SecondarySynchronousRectification ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NP22N055HHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=39m?MAX.(VGS=10V,ID=11A) ?LowCiss:Ciss=590pFTYP. ?Built-in

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP22N055HHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffect Transistorsdesignedforhighcurrentswitching applications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=39mΩMAX.(VGS=10V,ID=11A) ?LowC

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP22N055HHE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=39mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP22N055HLE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=37mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP22N055HLE

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NP22N055SHE

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 22A TO-252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
17+
TO-252
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
NEC
2024
TO-252
503092
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商
 詢價
NEC
24+
TO-252
8866
詢價
NEC
23+
TO-252
11735
全新原裝
 詢價
Renesas
19+
TO-252
87421
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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Renesas
1822+
TO-252
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
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NEC
6000
面議
19
TO-252
 詢價
Renesas
18+
TO-252
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
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R
23+
TO-252
10000
公司只做原裝正品
 詢價
RENE
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多NP22N055SHE供應(yīng)商 更新時間2025-1-30 14:00:00

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