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NP80N055MHE-S18-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
NP80N055MHE-S18-AY |
功能描述 | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
文件大小 |
299.68 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-6 11:12:00 |
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NP80N055MHE-S18-AY規(guī)格書詳情
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
FEATURES
? Channel temperature 175 degree rated
? Super low on-state resistance
RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
? Low input capacitance
Ciss = 2400 pF TYP.
? Built-in gate protection diode
產(chǎn)品屬性
- 型號:
NP80N055MHE-S18-AY
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
R |
2020+ |
T0-220 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
TO-220 |
33000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-220 |
12500 |
瑞薩全系列在售,終端可出樣品 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
T0-220 |
56000 |
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持 |
詢價 | ||
VBsemi/臺灣微碧 |
20+ |
T0-220 |
2001 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
R |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
TO-262 |
3000 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
VB |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |