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NP88N055KHE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) ?Lowinputcapacitance Ciss=7600pFT

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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NP88N055KHE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) ?Lowinputcapacitance Ciss=7600pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode

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NP88N055KHE-E1-AYNote1

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP9926ASR

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NPA-100B-015A

Amphenol Advanced Sensors
14-SOIC 模塊

Amphenol Advanced Sensors

上傳:深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司

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更多NP88N055KHE-E1-AY供應(yīng)商 更新時間2025-8-4 8:14:00