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NPT2010

Gallium Nitride 48V, 100W, DC-2.2 GHz HEMT

The NPT2010 GaN HEMT is a wideband transistor optimized for DC-2.2 GHz operation. This device has been designed for CW, pulsed, and linear operation with output power levels to 100W (50 dBm) in an industry standard metal-ceramic package with a bolt down flange. For load-pull data and non-linear m; ·Suitable for Linear and Saturated Applications\n·High Drain Efficiency (>60%)\n·Industry Standard Package\n·48V Operation\n·Tunable from DC-2.2 GHz\n;

MACOMTyco Electronics

瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司

MACOM

NPT2010

Gallium Nitride 48V, 100W, DC-2.2 GHz HEMT

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

MA-COM

NPT2010

包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ

MACOM Technology Solutions

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NPT2010_15

DC-2.2 GHz HEMT

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

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NPT25015D

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SOP8

MACOMTyco Electronics

瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司

上傳：深圳市凌旭科技有限公司

MACOM

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NPT2010

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    HEMT

  • 頻率：

    0Hz ~ 2.2GHz

  • 增益：

    15dB

  • 功率 - 輸出：

    95W

  • 描述：

    HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MA-COM
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更多NPT2010供應(yīng)商 更新時間2025-8-1 16:13:00

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