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NR8360JP-BC

PHOTO DIODE

φ30μmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODE 14-PINDIPMODULEWITHTEC DESCRIPTION TheNR8360JP-BCisanInGaAsavalanchephotodiodemodulewithsinglemodefiber.Athermoelectriccooleris integratedenablingthetemperaturecontroloftheAPDchip.Itisdesignedforlong-reachopticalcommunicati

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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NR8360JP-BC

30 um InGaAs APD IN DIP PACKAGE FOR OTDR APPLICATION

CEL

California Eastern Labs

CEL

NR8360JP-BC

Optoelectronics

RenesasRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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NR8360JP-BC_15

? 30 關(guān)m InGaAs AVALANCHE PHOTO DIODE 14-PIN DIP MODULE WITH TEC

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NR8360JP-BC-AZ

包裝:散裝 類別:光電器件 光纖 - 接收器 描述:PHOTO DIODE 30UM MODULE

CEL

California Eastern Labs

CEL

技術(shù)參數(shù)

  • Target application:

    for OTDR

  • Tc (℃) min.:

    -20

  • Tc (℃) max.:

    55

  • Tstg (°C) min.:

    -40

  • Tstg (°C) max.:

    85

  • ID (nA) typ.:

    5

  • fc (GHz) min.:

    1

  • S(A/W) typ. @ λ=1310nm:

    0.89

  • S(A/W) typ. @ λ=1550nm:

    1

  • VBR (V) typ.:

    70

  • Production Status:

    Mass Production

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更多NR8360JP-BC供應(yīng)商 更新時間2025-8-4 8:02:00