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NSBA123JF3T5G

Digital Transistors (BRT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSBA123JF3T5G

Digital Transistors (BRT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSBA123JF3T5G

PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSBA123JF3T5G

Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 47 k

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSBA123JF3T5G

Package:SOT-1123;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSBC123JF3T5G

NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSBC123JF3T5G

DigitalTransistors(BRT)R1=2.2k,R2=47k

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSBC123JF3T5G

DigitalTransistors(BRT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NSBA123JF3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 300μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-1123

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-1123

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多NSBA123JF3T5G供應(yīng)商 更新時間2025-1-27 8:12:00