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NSBA143EF3T5G分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NSBA143EF3T5G |
參數屬性 | NSBA143EF3T5G 封裝/外殼為SOT-1123;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 |
功能描述 | Digital Transistors (BRT) |
封裝外殼 | SOT-1123 |
文件大小 |
108.62 Kbytes |
頁面數量 |
12 頁 |
生產廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-2-5 16:41:00 |
NSBA143EF3T5G規(guī)格書詳情
NSBA143EF3T5G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置。由安森美半導體公司制造生產的NSBA143EF3T5G晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器,設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數量,從而可降低項目成本。
產品屬性
更多- 產品編號:
NSBA143EF3T5G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP - 預偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 5mA,10V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
250mV @ 1mA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500nA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-1123
- 供應商器件封裝:
SOT-1123
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
SOT563 |
9860 |
全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百! |
詢價 | ||
ON |
23+ |
SOT353 |
40000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ON |
SOT563 |
34099 |
集團化配單-有更多數量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ON/曠遠原裝 |
24+ |
SOT-563 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
SOT-563 |
30059 |
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
SOT563 |
56000 |
公司進口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持 |
詢價 | ||
ON |
SOT563 |
68900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
ON |
6000 |
面議 |
19 |
SOT563 |
詢價 | ||
onsemi |
24+ |
SOT-1123 |
30000 |
晶體管-分立半導體產品-原裝正品 |
詢價 | ||
三年內 |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 |