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NSS35200CF8T1G

Low VCE(sat) Transistor, PNP, 35 V, 2.0 A

Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.; ? Very Low Saturation \n? High Current Switching 2A DC, 7A Peak\n? High Current Gain\n? High Cut Off Frequency\n? Low Profile Package\n? Linear Gain (Beta)\n? This is a Pb-Free Device\n;

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NSS35200CF8T1G

High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE-SAT Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

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NSS35200CF8T1G

35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

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NSS35200CF8T1G

High Efficiency DC-DC Converters

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NSS35200CF8T1G

Package：8-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 35V 2A CHIPFET

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NSS35200CF8T1G_06

35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NSS35200CF8T1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 20mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 1.5A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ChipFET?

  • 描述：

    TRANS PNP 35V 2A CHIPFET

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ON
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SO-23
39064
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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ONSEMI/安森美原裝特價(jià)NSS35200CF8T1G即刻詢購立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
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ON/ONSemiconductor/安森
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新進(jìn)庫存/原裝
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
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PANASONIC
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原裝正品,假一罰十
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2020+
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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ONSEMICONDU
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原裝進(jìn)口原廠原包接受訂貨
1847
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多NSS35200CF8T1G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 16:49:00

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