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NSS40200UW6T1G

40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSS40200UW6T1G

PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSS40200UW6T1G

Package：6-WDFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 40V 2A 6WDFN

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSS40200UW6T1G_14

PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSV40200UW6T1G

PNPTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NSS40200UW6T1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 20mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 1A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    140MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-WDFN（2x2）

  • 描述：

    TRANS PNP 40V 2A 6WDFN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
DFN-6(2x2)
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ONSEMI/安森美
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ON/安森美
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更多NSS40200UW6T1G供應(yīng)商 更新時間2025-7-20 8:11:00

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