訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>>芯片詳情
NSS60200LT1G_ONSEMI/安森美半導體_兩極晶體管 - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A柒號芯城
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NSS60200LT1G
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應商
- 企業(yè):
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連小若
- 手機:
18922805453
- 詢價:
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓
相近型號
- NSS60601MZ4T1G
- NSS40302PDR2G
- NSS40301MZ4T3G
- NSS60601MZ4T3G
- NSS40301MZ4T1G
- NSSW020AT1
- NSS40301MZ4
- NSSW020BT-P1
- NSS40301MDR2G
- NSSW100DT
- NSS40300MZ4T3G
- NSSW109T
- NSS40300MZ4T1G
- NSSW123BT-HD
- NSS40300MZ4T
- NSSW146ATIC
- NSS40300MDR2G
- NSSW157T
- NSSW206CT
- NSS40201LT1G
- NSSW208ATE
- NSS40200UW6T1G
- NST1001-QDNR
- NST1001-QTZB
- NSS40200LT1G
- NST112-DSTR
- NST175H-QMSR
- NSS35200MR6T1G
- NST175H-QSPR
- NSS30201MR6T1G
- NST235-DSCR
- NSS30101LT1G
- NST235-DSTR
- NST30010MXV6T1G
- NSS30100LT1G
- NST3904DP6T5G
- NSS30071MR6T1G
- NST3904DXV6T1G
- NST3904DXV6T5G
- NSS30070MR6T1G
- NST3904F3T5G
- NSS20501UW3T2G
- NST3906DXV6T1G
- NSS20500UW3T2G
- NST3906F3T5G
- NSS20300MR6T1G
- NST3946DXV6T1G
- NSS20201MR6T1G
- NST45010MW6T1G
- NST45011MW6T1G