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首頁(yè)>NST847BDP6>芯片詳情
NST847BDP6_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT DUAL NPN GP TRANS星辰微電科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
NST847BDP6
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT DUAL NPN GP TRANS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市星辰微電科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
吳先生
- 手機(jī):
17375148621
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82713279
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號(hào)上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411
相近型號(hào)
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