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NSVMMBT5551M3T5G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

NSVMMBT5551M3T5G
廠商型號

NSVMMBT5551M3T5G
參數(shù)屬性

NSVMMBT5551M3T5G 封裝/外殼為SOT-723；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 160V 0.06A SOT723
功能描述

NPN High Voltage Transistor
TRANS NPN 160V 0.06A SOT723
封裝外殼

SOT-723
文件大小

82.91 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-6-2 23:01:00
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NSVMMBT5551M3T5G規(guī)格書詳情

NSVMMBT5551M3T5G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NSVMMBT5551M3T5G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

NPN High Voltage Transistor

The MMBT5551M3 device is a spin?off of our popular SOT?23 three?leaded device. It is designed for general purpose high voltage applications and is housed in the SOT?723 surface mount package. This device is ideal for low?power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

? Reduces Board Space

? NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NSVMMBT5551M3T5G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應商器件封裝：

    SOT-723

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.06A SOT723

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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