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NTBG015N065SC1_V01中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTBG015N065SC1_V01
廠商型號

NTBG015N065SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L

文件大小

303.61 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-29 23:00:00

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NTBG015N065SC1_V01規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? SMPS (Switching Mode Power Supplies)

? Solar Inverters

? UPS (Uninterruptable Power Supplies)

? Energy Storages

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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