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NTH4L020N090SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTH4L020N090SC1
廠商型號

NTH4L020N090SC1

功能描述

Silicon Carbide SiC MOSFET - 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

絲印標識

H4L020090SC1

封裝外殼

TO247-4L

文件大小

331.89 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-8 10:28:00

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NTH4L020N090SC1規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 20 m @ VGS = 15 V

Typ. RDS(on) = 16 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 196 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Coss = 296 pF)

? 100 UIL Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC-DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ONSEMI/安森美
24+
原封裝
52000
只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
ONSEMI/安森美
24+
原封裝
29823
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
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24+
NA
3000
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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60000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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10000
只做原裝 假一賠萬
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查現(xiàn)貨到京北通宇商城
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只做原裝正品
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TO-247-4L
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