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NTH4L020N120SC1_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=20m ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi

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安森美半導體安森美半導體公司

NVH4L020N120SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,1200V,M1,TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=20m ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevel

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更多NTH4L020N120SC1_V01供應商 更新時間2025-6-12 15:01:00

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