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NTH4L023N065M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

Features ?TypicalRDS(on)=23m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=69nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=153pF) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Appli

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVH4L023N065M3S

SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,23mohm,650V,M3S,TO-247-4L

Features ?TypicalRDS(on)=23m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=69nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=153pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb?Free2LI(

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更多NTH4L023N065M3S供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 15:01:00

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