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NTH4L040N120M3S_V02

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多NTH4L040N120M3S_V02供應商 更新時間2025-4-23 14:15:00

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