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NTH4L040N120SC1_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=40m ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NVH4L040N120SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=40m ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevel

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更多NTH4L040N120SC1_V01供應商 更新時間2025-4-10 15:00:00

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