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NTHL015N065SC1

Marking：HL015N065SC1；Package：TO-247；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=430pF) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsec

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTBG015N065SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,12mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(o

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NTBG015N065SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–12mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(o

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTBG015N065SC1

MOSFET??SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L650V,12m,145A

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NVBG015N065SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–12mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexem

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NVBG015N065SC1

MOSFET??SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L650V,12m,145A

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供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ON/安森美
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原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)
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原廠正品現(xiàn)貨SiC MOSFET全系列
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NTHL015N065SC1
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原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低
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更多NTHL015N065SC1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-7 15:05:00

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