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NTHL080N120SC1_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTHL080N120SC1_V01
廠商型號

NTHL080N120SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L

文件大小

365.42 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-10 19:47:00

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NTHL080N120SC1_V01規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 80 m

? Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 56 nC)

? Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 80 pF)

? 100 UIL Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC?DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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