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NTHL080N120SC1D | MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 80 m, 31 A | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | |
SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevel | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
MOSFET??SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
MOSFET??N??hannel,SiliconCarbide1200V,80m Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidesuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsincl | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) ?100UILTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterc | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI |
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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