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NTMS4177PR

絲印：4177P；Package：SOP-8；-30V P-Channel MOSFET

?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses ?SOP-8SurfaceMountPackageSavesBoardSpace VDS(V)=-30V ID=-11.4A(VGS=-10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

UMW

NTMS4177PR2G

Power MOSFET -30 V, -11.4 A, P-Channel, SOIC-8

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMS4177PR2G

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBSEMI

OP4177

PrecisionLowNoise,LowInputBiasCurrentOperationalAmplifiers

GENERALDESCRIPTION TheOPx177familyconsistsofveryhighprecision,single,dual,andquadamplifiersfeaturingextremelylowoffsetvoltageanddrift,lowinputbiascurrent,lownoise,andlowpowerconsumption.Outputsarestablewithcapacitiveloadsofover1000pFwithnoexternalcompen

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

AD

OP4177

PrecisionLowNoise,LowInputBiasCurrentOperationalAmplifiers

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

AD

OP4177

LowPower,PrecisionRail-to-RailOutputOpAmp

FEATURES Verylowoffsetvoltage125μVmaximumSupplycurrent:215μA/amptypical Inputbiascurrent:200pAmaximum Lowinputoffsetvoltagedrift:1.2μV/°CmaximumVerylowvoltagenoise:11nV/√HzOperatingtemperature:?40°Cto+125°CRail-to-railoutputswing Unitygainstable ±2.5Vt

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

AD

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NTMS4177PR

  • 功能描述：

    MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VBsemi(臺灣微碧)
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更多NTMS4177PR供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 15:01:00

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