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NVD5890N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

NVD5890N
廠商型號

NVD5890N

參數(shù)屬性

NVD5890N 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

298.38 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-4 17:08:00

NVD5890N規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID= 123A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Power Supplies

·Inductive Loads

·Power Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NVD5890NT4G-VF01

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 描述:

    NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

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