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NVHL1000N170M1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=960m@VGS=20V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=14nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=11pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(on

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTBG1000N170M1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,960mohm,1700V,M1,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=960m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=14nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=11pF) ?100AvalancheTested ?RoHSCompliant TypicalApplications ?SolarInverters ?ElectricVehicleChargingStations ?ElectricStoringSystems ?SMPS(

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTHL1000N170M1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,960mohm,1700V,M1,TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=960m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=14nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=11pF) ?100AvalancheTested ?RoHSCompliant TypicalApplications ?SolarInverters ?ElectricVehicleChargingStations ?ElectricStoringSystems ?SMPS(

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NTHL1000N170M1

SiCN-ChannelMOSFET

FEATURES ·Typ.RDS(on)=960mΩ ·100AvalancheTested ·RoHSCompliant APPLICATIONS ·SolarInverters ·ElectricVehicleChargingStations ·ElectricStoringSystems ·UPS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NVBG1000N170M1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,960mohm,1700V,M1,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=960m@VGS=20V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=14nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=11pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(on

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多NVHL1000N170M1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 13:02:00

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