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NXH450B100H4Q2F2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NXH450B100H4Q2F2 |
| 參數(shù)屬性 | NXH450B100H4Q2F2 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED |
| 功能描述 | Q2BOOST Module |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 文件大小 |
1.28637 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-9 16:10:00 |
| 人工找貨 | NXH450B100H4Q2F2價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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NXH450B100H4Q2F2規(guī)格書詳情
NXH450B100H4Q2F2屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NXH450B100H4Q2F2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
Description
The NXH450B100H4Q2 is a Si/SiC Hybrid three channel
symmetric boost module. Each channel contains two 1000 V, 150 A
IGBTs, two 1200 V, 30 A SiC diodes and two 1600 V, 30 A bypass
diodes. The module contains an NTC thermistor.
Features
? Silicon/SiC Hybrid Technology Maximizes Power Density
? Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation
? Low Inductive Layout
? Press?fit and Solder Pin Options
? This Device is Pb?Free, Halogen Free and is RoHS Compliant
Typical Applications
? Solar Inverter
? Uninterruptible Power Supplies
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NXH450B100H4Q2F2SG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
2 個獨立式
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.25V @ 15V，150A
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應商器件封裝：
56-PIM（93x47）
- 描述：
1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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