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NXH50M65L4Q1SG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH50M65L4Q1SG
廠商型號

NXH50M65L4Q1SG

參數(shù)屬性

NXH50M65L4Q1SG 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:Q1PACK 50A 650V

功能描述

Q1PACK Module
Q1PACK 50A 650V

封裝外殼

模塊

文件大小

711.98 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-23 22:59:00

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NXH50M65L4Q1SG規(guī)格書詳情

NXH50M65L4Q1SG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH50M65L4Q1SG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

This high?density, integrated power module combines

high?performance IGBTs with rugged anti?parallel diodes.

Features

? Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology

? Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation

? Module Design Offers High Power Density

? Low Inductive Layout

? Q1PACK Packages with Solder and Pressfit Pins

Typical Applications

? Solar Inverters

? Uninterruptable Power Supplies

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NXH50M65L4Q1SG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    全橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.22V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    56-PIM(93x47)

  • 描述:

    Q1PACK 50A 650V

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