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NXH50M65L4Q1SG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
NXH50M65L4Q1SG |
參數(shù)屬性 | NXH50M65L4Q1SG 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:Q1PACK 50A 650V |
功能描述 | Q1PACK Module |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
711.98 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-23 22:59:00 |
人工找貨 | NXH50M65L4Q1SG價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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NXH50M65L4Q1SG規(guī)格書詳情
NXH50M65L4Q1SG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH50M65L4Q1SG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
This high?density, integrated power module combines
high?performance IGBTs with rugged anti?parallel diodes.
Features
? Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology
? Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation
? Module Design Offers High Power Density
? Low Inductive Layout
? Q1PACK Packages with Solder and Pressfit Pins
Typical Applications
? Solar Inverters
? Uninterruptable Power Supplies
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NXH50M65L4Q1SG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
散裝
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 配置:
全橋
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.22V @ 15V,50A
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
是
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝:
56-PIM(93x47)
- 描述:
Q1PACK 50A 650V
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
WLCSP13 |
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