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OPA659IDRBR中文資料美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

OPA659IDRBR
廠商型號(hào)

OPA659IDRBR

功能描述

Wideband, Unity-Gain Stable, JFET-Input OPERATIONAL AMPLIFIER

文件大小

1.33121 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

32 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 National Semiconductor (TI)
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NSC美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體

中文名稱

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-6 17:15:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    OPA659IDRBR

  • 功能描述:

    高速運(yùn)算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 通道數(shù)量:

    1 電壓增益

  • dB:

    116 dB

  • 輸入補(bǔ)償電壓:

    0.5 mV

  • 轉(zhuǎn)換速度:

    55 V/us

  • 工作電源電壓:

    36 V

  • 電源電流:

    7.5 mA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-8

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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