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OPB1104	文件：104.43 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Photo Transistor Structure 1.1ChipSize:0.42mmX1.17mm 1.2Chipthickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Emitter:130um -Base:60umX60um 1.6ActiveArea:0.31mmX0.46mm	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
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