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PBHV8110DW-AU_R2_000A1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBHV8110DW-AU_R2_000A1
廠商型號

PBHV8110DW-AU_R2_000A1
參數(shù)屬性

PBHV8110DW-AU_R2_000A1 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 1A SOT223
功能描述

NPN Low Vce(sat) Transistor
TRANS NPN 100V 1A SOT223
絲印標識

8110DW
封裝外殼

SOT-223 / TO-261-4，TO-261AA
文件大小

387.78 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Pan Jit International Inc.
企業(yè)簡稱

PANJIT【強茂】

中文名稱

強茂股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-12 23:00:00
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PBHV8110DW-AU_R2_000A1規(guī)格書詳情

PBHV8110DW-AU_R2_000A1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由強茂股份有限公司制造生產(chǎn)的PBHV8110DW-AU_R2_000A1晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

Features

? Silicon NPN epitaxial type

? Low Vce(sat) 0.35V(max)@Ic/Ib= 500mA / 50mA

? High collector current capability

? Excellent DC current gain characteristics

? AEC-Q101 qualified

? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

? Green molding compound as per IEC61249 Standard

? PNP complement: PBHV9110DW-AU

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    PBHV8110DW-AU_R2_000A1

  • 制造商：

    Panjit International Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    450mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    140 @ 150mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-223

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 1A SOT223

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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