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PBHV8115TLH分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBHV8115TLH
廠商型號

PBHV8115TLH

參數(shù)屬性

PBHV8115TLH 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 150V 1A TO236AB

功能描述

150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat BISS transistor

絲印標(biāo)識

PBHV8115TLH

封裝外殼

TO-236AB / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

418.68 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-11 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBHV8115TLHR

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    60mV @ 10mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 150V 1A TO236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Nexperia(安世)
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