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PBSS3515MB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS3515MB
廠商型號

PBSS3515MB

參數(shù)屬性

PBSS3515MB 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3

功能描述

15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識

PBSS3515MB

封裝外殼

SOT883B / 3-XFDFN

文件大小

1.09867 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-7 23:05:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS3515MB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    25mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 10mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    280MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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